MOSFET使用注意事项
MOSFET介绍
1.1 MOSFET作为开关管使用
箭头流入G极的是 NMOSFET
箭头流出G极的是 PMOSFET
上述箭头无论流入/出 都是S极(源)
PMOS: VGS=0 导通 VGS=1 截止
NMOS: VGS=0 截止 VGS=1 导通
1.2 性能指标
VDSS最大漏-源电压
漏极与源极之间的最大压差，否者会发生雪崩击穿
VGS最大栅-源电压
栅-源两级之间最大压差，可以在GS之间并联一个稳压二极管或单相/双向TVS管
ID 连续漏电电流
MOS管在正常温度下，可允许通过的最大电流
VGS(th) 栅-源电压阈值
MOSFET导通时使用的最小阈值
RDS(on) 导通电阻
漏-源电阻
Ciss:输入电容
将DS短接，用交流信号测得GS之间的电容(即Ciss=Cgs+Cgd),寄生电容充放电会对MOSFET开断延时有影响
Qgs、Qgd和Qg
各个电极之间的电荷
1.3 IRF7480MTRPbF:DirectFET® N-Channel Power MOSFET
芯片手册参数
设计电路主要主意:
- VDSS不能超过40V,为保留一定裕度，两端电压不能超过24V
- ID=137A,流过电流不能操作100A
- VGS=[-20,20V],栅源之间电压不能超过20V，可以考虑添加双向TVS
- VGS(th)=3V，MOS驱动芯片的输出电压能力要大于3V
- 相同型号MOS并联，可增大一倍ID电流
- RDS=1.2m欧
2. 电路应用
2.1 电源防反插(PMOS)
2.2 双电源供电-USB防反冲
2.3 常用MOSFET
- IRF540
- IRF640
- IRF840
- SI2301
- SI2302